我国首颗六英寸氧化镓单晶成功制备

来源： 光明网-《光明日报》


(资料图片仅供参考)

日前，中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平。

氧化镓是新型超宽禁带半导体材料，拥有优异的物理化学特性，在微电子与光电子领域均拥有广阔的应用前景。但因具有高熔点、高温分解以及易开裂等特性，因此，大尺寸氧化镓单晶制备极为困难。

据了解，中国电科46所氧化镓团队聚焦多晶面、大尺寸、高掺杂、低缺陷等方向，从大尺寸氧化镓热场设计出发，成功构建了适用于6英寸氧化镓单晶生长的热场结构，突破了6英寸氧化镓单晶生长技术，具有良好的结晶性能，可用于6英寸氧化镓单晶衬底片的研制，将有力支撑我国氧化镓材料实用化进程和相关产业发展。

近年来，中国电科围绕国家战略需求，在氧化镓、氮化铝、金刚石等超宽禁带半导体材料领域砥砺深耕并取得重大突破和标志性成果，有力支撑了我国超宽禁带半导体材料的发展。（记者崔兴毅）

标签： 单晶生长 结晶性能

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